| 型号：IRFH5110TRPBF | 类别：FET - 单 | 制造商：International Rectifier |
| 封装：8-PowerVQFN | 描述：MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN |
| 系列 | HEXFET® |
| 制造商 | International Rectifier |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 11A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 12.4 毫欧 @ 37A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 100µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 72nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3152pF @ 25V |
| 功率_最大 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 供应商设备封装 | PQFN（5x6） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
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| 深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
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